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第两百二十六章:金刚石


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到晚上十点半左右,陈舟把张一凡送出了房间。

张一凡得抓紧时间赶回学校了,据他所说,他们的宿管阿姨简直不要太凶。

如果被锁在门外,写检讨都是轻的。

搞不好还要被通报批评呢。

见他说的这么严重,陈舟自然也不敢耽误他的时间。

只是他很奇怪,宿管阿姨不都是和蔼可亲的吗?

要是晚归,不都是赶紧让你进来,生怕耽误你休息的吗?

帮张一凡喊了辆出租车,看着他上车,陈舟才再次回到房间。

一回去,就看到沈靖打了个哈欠。

陈舟不禁笑了笑,今天起得其实挺早的,而且在高铁上并没有补觉,这会这个点,确实有点犯困了。

“学长,先回去休息吧,明天四十三所的实验也要正式开始了。”

“没事,我再整理两篇。”沈靖说完,又打了个哈欠。

他是真的有点困了,如果按照一天的活动时间来算的话,那他已经连续近16个小时没有休息了。

“好啦,这事不急在一时,明天再弄。”陈舟说着过去帮沈靖关了电脑,督促他赶紧去睡觉。

沈靖看了陈舟一眼,把东西收拾好,朝自己房间走去。

临出门时,他突然停下脚步,转头问陈舟:“你该不会熬夜看文献吧?”

陈舟轻声笑道:“不至于,我再看一会就睡了。”

沈靖将信将疑的离开了,但回到房间后他觉得不对,这小子的一会到底是个什么概念呢?

想了一会,沈靖把电脑重新打开了。

工作,具有专注力的工作,将抵消那股疲惫的困意!

给自己打了个气,沈靖便开始继续了。

陈舟这边,等沈靖离开后,便坐回桌子前,继续看文献。

还剩两个,直流电弧等离子喷射CVD法和微波等离子体CVD法。

直流电弧等离子喷射CVD法,也叫DAPCVD法。

这是一种放电区内隐的直流电弧等离子体沉积法。

这种方法的优点就是,有极快的沉积速度。

是极快,不是一般的快!

在上世纪90年代的时候,就有实验室利用阴阳极呈直角的反应器实现了930h的高速生长。

这可是930h,不是930μh!

而且,就算是930μh,那也是远高于现在四十三所制备金刚石薄膜的40μh的。

更不要说930h了。

相比之下,一个的速度就是火箭,另一个则是自行车。

或许连自行车都算不上。

也是因为这种告诉生长的速率,这种方法一度成为热点方法。

制备工艺的话,也并不复杂。

主要就是在杆状阴极和环形阳极之间施加直流电压,当气体通过时引发电弧,加热气体,高温膨胀的气体从阳极嘴高速喷出,形成等离子体射流。

引弧的气体通常是氩气,等形成等离子体射流后,通入反应气体甲烷和氢气,甲烷和氢气被离化,并达到水冷沉积台的衬底,在衬底上成核、生长金刚石薄膜。

而且这种方法制备金刚石薄膜,不禁速度快,而且质量高,还无电磁污染。

但是,由于喷射等离子体的速度场合温度场不均匀,使其沉积范围内膜厚不均,会呈梯形分布。

在沉积速度过快时,膜的表面不平整,就会大大降低膜的致密度。

看到这,陈舟古怪的笑了笑:“看来,太快了也不好……”

但是整体来说,这种方法还是很有研究潜力的。

陈舟在草稿纸上做着记录,并把自己的想法记在一旁。

把DAPCVD法的相关文献看完后,陈舟右手滑动鼠标,点开了一个新的PDF文件。

最后一个制备方法。

微波等离子体CVD法,也就是MPCVD法。

是四十三所所采用的的方法。

也是陈舟查这么文献的目的。

和DAPCVD法被报道的时间,仅相隔一年。

这也是目前用于沉积金刚石薄膜最为广泛的方法。

这种方法最先是通过一种轴向的天线耦合器,将2~5W的矩


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